[发明专利]多孔膜形成用组合物,多孔膜的制备方法,多孔膜、层间绝缘膜和半导体器件无效

专利信息
申请号: 200410031387.3 申请日: 2004-03-26
公开(公告)号: CN1536023A 公开(公告)日: 2004-10-13
发明(设计)人: 滨田吉隆;浅野健;中川秀夫;笹子胜 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社
主分类号: C08L83/00 分类号: C08L83/00;C08J5/18;H01L23/14
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王维玉;薛俊英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供介电常数为2.2或更低的,并具有实用价值的机械强度的多孔膜,本发明提供了形成多孔膜的组合物,该组合物包括组分(A)和(B):(A)100重量份的至少一种可水解的硅化合物和/或至少一种下式(1)表示的硅化合物水解缩合的产物:R1aSiZ14-a (1);其中Z1表示可水解的基团;R1表示取代或未取代的一价烃基;以及a是0-3的整数;和(B)0.1-20重量份含有至少一种环状低聚物的交联剂,所述的低聚物在受热时可产生一种或多种硅烷醇基团,并用下述式(3)表示:{R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e (3)其中R31和R32各自表示取代或未取代的一价烃基;Z3表示受热时可以产生硅醇基的基团;和d和e各自表示0-10的整数,d和e之和大于或等于3。
搜索关键词: 多孔 形成 组合 制备 方法 绝缘 半导体器件
【主权项】:
1.形成多孔膜的组合物,该组合物包括:(A)100重量份的至少一种可水解的硅化合物和/或至少一种所述硅化合物至少是部分水解缩合的产物,所述的硅化合物是选自下述式(1)和(2)的化合物:R1aSiZ14-a (1)其中Z1独立地表示可水解的基团,当化合物(1)具有多个Z1基团时Z1可以相同或不同;R1独立地表示取代或未取代的一价烃基,当化合物(1)具有多个R1基团时R1可以相同或不同;以及a是0-3的整数;R21b(Z21)3-bSi-Y-Si(R22)cZ223-c (2)其中Z21和Z22各自独立地表示可水解的基团,当化合物(2)包括多个Z21和/或Z22基团时Z21和/或Z22可以相同或不同;R21和R22各自独立地表示取代或未取代的一价烃基,当化合物(2)包括多个R21 和/或R22基团时R21和/或R22可以相同或不同;b和c各自独立地表示0-2的整数;以及Y是氧原子、亚苯基或二价烃基;(B)0.1-20重量份含有至少一种环状或多支链的低聚物的交联剂,所述的低聚物在受热时可产生一种或多种硅烷醇基团,该低聚物选自下述式(3)-(8)表示的低聚物,其中低聚物是:{R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e (3)其中R31和R32各自独立的表示取代或未取代的一价烃基,当化合物(3)包括多个R31和/或R32基团时,多个R31和/或R32可以相同或不同;Z3独立的表示在受热时可以产生硅醇基的基团,和当化合物(3)包括多个Z3基团时,多个Z3可以相同或不同;以及d和e各自独立地表示0-10的整数,d和e之和大于或等于3;{R41SiO3/2}f{R42(H)SiO}g{R43(Z4)SiO}h (4)其中R41、R42和R43各自独立的表示表示取代或未取代的一价烃基,当化合物(4)包括多个R41、R42和/或R43各基团时,R41、R42和/或R43可以相同或不同;Z4独立的表示在受热时可以产生硅醇基的基团,和当化合物(4)包括多个Z4基团时,多个Z4可以相同或不同;以及f、g和h各自独立地表示0-10的整数,f、g和h之和大于或等于4,和f是偶数;(HSiO3/2)i(Z5SiO3/2)i (5)其中Z5独立的表示在受热时可以产生硅醇基的基团,和当化合物(5)包括多个Z5基团时,多个Z5可以相同或不同;以及i和j各自独立地表示0-10的整数,i和j之和大于或等于4,和i和j之和是偶数;{H(CH3)2SiO1/2}k{Z61(CH3)2SiO1/2}m(R61SiO3/2)n{R62(Z62)SiO}p(6)其中R61和R62各自独立的表示取代或未取代的一价烃基,当化合物(6)包括多个R61和/或R62基团时,多个R61和/或R62可以相同或不同;Z61和Z62各自独立的表示在受热时可以产生硅醇基的基团,和当化合物(6)包括多个Z61和/或Z62基团时,多个Z61和/或Z62可以相同或不同;以及k、m、n和p各自独立地表示0-20的整数,k、m、n和p之和大于或等于5,以及k、m和n之和是偶数;{H(CH3)2SiO1/2}q{Z71(CH3)2SiO1/2}r(SiO2)s(Z72SiO3/2)t (7)其中Z71和Z72各自独立的表示在受热时可以产生硅醇基的基团,和当化合物(7)包括多个Z71和/或Z72基团时,多个Z71和/或Z72可以相同或不同;以及q、r、s和t各自独立地表示0-20的整数,q、r、s和t之和大于或等于4,以及q、r和t之和是偶数;和(Z813SiO1/2)u(R812SiO)v(R82SiO3/2)w{R83(Z82)SiO}x(SiO2)y(Z83SiO3/2)z (8)其中R81、R82和R83各自独立的表示取代或未取代的一价烃基,当化合物(8)包括多个R81、R82和/或R83各基团时,R81、R82和/或R83 可以相同或不同;Z81、Z82和Z83各自独立的表示在受热时可以产生硅醇基的基团,和当化合物(8)包括多个Z81、Z82和/或Z83基团时,多个Z81、Z82和/或Z83可以相同或不同;以及u、v、w、x、y和z各自独立地表示0-20的整数,u、v、w、x、y和z之和大于或等于3,以及u、w和z之和是偶数。
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