[发明专利]半导体电子器件有效
| 申请号： | 200410031417.0 | 申请日： | 2004-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1595659A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 吉田清辉 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在于提供夹断特性优良的、使用氮化物系化合物半导体的电子器件。在由氮化物系化合物半导体构成的电子器件的衬底上，交替层叠多层不同材料的薄缓冲层，通过抑制材料不同的缓冲层接触面附近带隙较小的层中的2维电子气的积累，抑制了泄漏电流的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电子器件 | ||
【主权项】：
1、一种使用氮化物系化合物半导体的半导体电子器件，其特征在于：至少具有：衬底；由缓冲层、电子渡越层和电子供给层构成的半导体叠层结构；以及电极，上述缓冲层包含由组成式为AlxInyGa1-x-yAsuPvN1-u-v(0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1，0≤u＜1，0≤v＜1，u+v＜1)的第1层和由组成式为AlaInbGa1-a-bAscPdN1-c-d(0≤a≤1，0≤b≤1，a+b≤1，0≤c＜1，0≤d＜1，c+d＜1)的第2层，并且上述第1层与上述第2层的带隙能量不同，上述缓冲层中的2维电子气密度在5×1012cm-2以下。
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