[发明专利]自对准式薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200410031437.8 | 申请日： | 2004-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1677626A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 黄茂村 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种自对准式薄膜晶体管的制造方法，该方法包括在一基板上镀上一金属层后，利用光罩制程形成所需的栅极(gate)图案，随后依序生长栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、透明导电层，随后利用负光阻剂利用该栅极金属作为光罩进行背后曝光后，经蚀刻，随后进行一般的多层半导体制程，即可获得与栅极对准的源极及漏极。依据本发明的方法，可改良因栅漏电容(Cgd)不均所产生的液晶显示器色度不均(mura)问题。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使薄膜晶体管的栅极与漏极及源极自对准的方法，包括利用该栅极本身作为光罩并利用一透明导电材料作为漏极与源极材料，使用一负光阻剂自该基板侧照光，并由此蚀刻去除该透明导电材料对应于该栅极的部位，因而使该栅极与漏极及源极自对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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