[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构及其制造方法，此方法在形成数据线与源极/漏极时，同时形成一导电层，所形成的导电层具有一耦合部以及一连接部，耦合部作为像素储存电容器的上部电极，而连接部将耦合部与漏极连接在一起。之后，一接触窗开口被限定在连接部的上方，以使后续所形成的像素电极能通过此接触窗开口而与导电层的连接部电性接触。如此一来，像素电极、导电层(包括耦合部)以及漏极之间都彼此电性导通。由于本发明的接触窗并非形成在像素储存电容器的正上方，因此即使接触窗的蚀刻处理可能会蚀穿栅极绝缘层，也不会造成像素储存电容器漏电。

主权项

1.一种像素结构，包括：一扫描线，配置在一基板上；一共用线，配置在该基板上，其作为一像素储存电容器的下部电极；一栅极绝缘层，配置在该基板上，覆盖该扫描线与该共用线；一数据线，配置在该栅极绝缘层上；一开关元件，配置在该基板上，其中该开关元件与该扫描线以及该数据线电性连接；一导电层，配置在该栅极绝缘层上，其中该导电层具有一耦合部与一连接部，该耦合部位于该共用线的上方，其作为该像素储存电容器的上部电极，而该连接部将该耦合部与该开关元件连接起来；一保护层，覆盖住该数据线、该开关元件以及该导电层；一接触窗，配置在该连接部上方的该保护层中；以及一像素电极，配置在该保护层上，其中该像素电极通过该接触窗而与该开关元件以及该导电层的该耦合部电性连接。