[发明专利]硅的各向异性湿式蚀刻有效
| 申请号： | 200410031450.3 | 申请日： | 2004-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1534738A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 青岛知保 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306;C23F1/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过热氧化作用在硅基底的一个主表面上形成硅氧化物膜，之后，用CVD在硅氧化物膜上形成硅氮化物膜。选择性地干式蚀刻硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以形成掩模开口22并留下由叠层被留下的区域所组成的蚀刻掩模。通过利用蚀刻掩模用例如TMAH的碱性蚀刻剂选择性并且各向异性地蚀刻基底，以形成基底开口。通过设定硅氧化物膜的厚度与硅氮化物膜的厚度的比例为1.25或者更大，优选地是1.60或者更大，则可能避免开口内壁蚀刻形状的变形和蚀刻掩模中的裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种湿式蚀刻方法，包括以下步骤：在一硅基底的一主表面上形成一硅氧化物膜，然后在该硅氧化物膜上形成一硅氮化物膜，所述硅氧化物膜的厚度TO和所述硅氮化物膜的厚度TN 设定为具有1.25或更大的膜厚比TO/TN；选择性地蚀刻所述硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以由所述叠层的剩下的区域形成一蚀刻掩模；以及采用所述蚀刻掩模，以碱性蚀刻剂选择性并各向异性地蚀刻所述硅基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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