[发明专利]氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200410031469.8 | 申请日： | 2004-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1677697A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 洪详竣;赖穆人 | 申请（专利权）人： | 炬鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;潘培坤 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法，该外延结构包括一基材；一第一氮化镓缓冲层，形成于该基材上；一第二氮化铟镓缓冲层，形成于第一氮化镓缓冲层上；及一氮化镓外延层，形成于第二氮化铟镓缓冲层上。该制作方法是在一基材上于第一温度下外延形成一氮化镓第一缓冲层，接着于第二温度下形成另一氮化铟镓第二缓冲层于该第一氮化镓缓冲层上，再将温度升至第三温度并于升温过程中维持前驱物三甲基铟及氨气于氮化铟镓第二缓冲层上做表面处理，最后于第三温度下成长一高温氮化镓外延层。本发明提供的缓冲层结构及成长方法使得后续外延成长的氮化镓系外延层具有较完美的晶体结构及较低的缺陷密度，故能有效地提升组件的效率及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系化合物半导体的外延结构，包括：一基材；一第一氮化镓缓冲层，形成于该基材上；一第二氮化铟镓缓冲层，形成于该第一氮化镓缓冲层之上；以及一氮化镓外延层，形成于该第二氮化铟镓缓冲层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于炬鑫科技股份有限公司，未经炬鑫科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410031469.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
