[发明专利]强电介体薄膜及其制造方法、强电介体存储器、压电元件无效
| 申请号： | 200410031478.7 | 申请日： | 2004-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1538523A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;宫泽弘;滨田泰彰;名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/31;H01L41/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1％以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔％以上、40摩尔％以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 强电介体 薄膜 及其 制造 方法 存储器 压电 元件 | ||
【主权项】：
1.一种强电介体薄膜，其特征在于：由表示为ABO3或者(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-(式中，A是选自Li+、Na+、K+、Pb2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Bi3+、La3+中的一种或两种以上的离子；B是选自Fe3+、Ti4+、Zr4+、Nb5+、Ta5+、W6+、Mo6+中的一种或两种以上的离子；m为自然数)的钙钛矿结构的强电介体或者铋层状结构的强电介体组成，且A位置离子至少含有4配位的Si4+或Ge4+。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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