[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410031481.9 | 申请日： | 2004-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1534772A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 增田员拓 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种确保良好电连接状态的可靠性高的半导体装置，具备在基板(10)上层叠了电极(16)的构成的半导体装置主体部(1)，在电极(16)以及基板(10)的层叠方向上，形成贯通这些电极(16)和基板(10)的贯通孔(11)，在贯通孔(11)内部插通导电部件(24)，另一方面，在电极(16)上形成至少面向贯通孔(11)的绝缘部件，导电部件(24)于从贯通孔(11)横跨该绝缘部件与电极(16)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包含在基板上层叠电极的构成，其特征在于，在所述电极以及所述基板的层叠方向上，形成贯通这些电极以及基板的贯通孔，在贯通孔内部插通导电部件；另一方面在所述电极和所述导电部件之间配置绝缘部件，该绝缘部件包含至少比所述电极位于上层的壁部；所述导电部件，从所述贯通孔跨过所述绝缘部件的壁部与所述电极连接。
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