[发明专利]固态成像装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410031534.7 | 申请日： | 2004-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1542931A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 高崎康介;西田和私;山本清文 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/98;H01L27/146;H01L23/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 涂敷粘合剂的传输薄膜被粘合到形成在玻璃基底上的多个隔板。玻璃基底放置在工作台上，传输薄膜的一端被固定到缠绕辊。剥离引导器设置在传输薄膜之上的位置。缠绕辊在工作台水平移动时，被驱动缠绕传输薄膜。在缠绕传输薄膜时，玻璃基底和传输薄膜之间的角度保持恒定。在传输薄膜被剥离之后，粘合剂被均匀地传输到每个隔板。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造固态成像装置的方法，所述方法将其中形成有多个框状隔板的透明基底通过粘合剂粘合至其上形成有多个固态成像元件的晶片，并为每个固态成像元件分隔所述透明基底和晶片，所述晶片上每个固态成像元件被每个隔板所围绕，所述方法包括步骤：将涂敷了粘合剂的传输件粘到所述隔板；对所述透明基底和传输件施加压力；以及自所述透明基底释放所述传输件以在所述隔板上传输粘合剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社，未经富士胶片株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410031534.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：常压中压联合的液相乙烯储存方法
- 下一篇：磁记录元件及磁记录元件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
