[发明专利]具有磁阻元件的半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410031545.5 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1542844A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 福住嘉晃 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置，包括：存储单元、侧壁绝缘膜和层间绝缘膜。存储单元具有第一强磁性膜、形成在第一强磁性膜上的隧道阻碍膜和形成在隧道阻碍膜上的第二强磁性膜。至少包围第二强磁性膜的侧面来形成侧壁绝缘膜。覆盖存储单元和侧壁绝缘膜而形成层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁阻 元件 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：具有第一强磁性膜、形成在所述第一强磁性膜上的隧道阻碍膜和形成在所述隧道阻碍膜上的第二强磁性膜的存储单元；至少包围所述第二强磁性膜的侧面而形成的侧壁绝缘膜；和覆盖所述存储单元和所述侧壁绝缘膜而形成的层间绝缘膜。
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