[发明专利]光记录介质及其制造方法以及用于溅射工艺的靶无效
| 申请号： | 200410031557.8 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1542793A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 细田康雄;三森步美;佐藤惠;山口政孝;饭田哲哉;井上弘康;三岛康儿;青岛正贵 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社;日本先锋公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光记录介质，包括含有用通式：(TixM11－x)yM21－y表示的合金的记录层，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是从由Si、Al和Fe组成的组中选择的并且不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，y等于或大于0.75以及等于或小于1。由此构造的光记录介质仅对全球环境产生最小负担。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 以及 用于 溅射 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种光记录介质，包括含有用通式：(TixM11-x)yM21-y表示的合金的记录层，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，y等于或大于0.75以及等于或小于1。
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