[发明专利]一种缺陷控制方法无效
| 申请号： | 200410031726.8 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1673991A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 林龙辉 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/00 | 分类号： | G06F17/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种一半导体制造过程中利用每日例行检查来进行缺陷控制的方法，首先提供一已图案化的晶片，该晶片表面包含有多个第一缺陷，接着对该晶片进行一半导体制造过程，该半导体制造过程于该晶片上形成多个第二缺陷，再对该晶片进行一缺陷检测，以检测出该晶片上的多个第一缺陷与该多个第二缺陷，最后将所检测到的这些缺陷依据一预设的数据库进行缺陷分类，以将该多个第一缺陷与该多个第二缺陷分开，并依据该数据库将该多个第二缺陷分类为多个缺陷类型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一半导体制造过程的缺陷控制方法，其包含有下列步骤：提供一已图案化的晶片，该晶片表面包含有多个第一缺陷；对该晶片进行一半导体制造过程，该半导体制造过程于该晶片上形成多个第二缺陷；对该晶片进行一缺陷检测，以于检测出该晶片上的多个第一缺陷与该多个第二缺陷；以及将所检测到的这些缺陷依据一预设的数据库进行缺陷分类，以将该多个第一缺陷与该多个第二缺陷分开，并依据该数据库将该多个第二缺陷分类为多个缺陷类型。
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