[发明专利]一种缺陷数据库建立方法无效

专利信息
申请号: 200410031730.4 申请日: 2004-03-24
公开(公告)号: CN1673992A 公开(公告)日: 2005-09-28
发明(设计)人: 林龙辉;郭峰铭;郑夙芬 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: G06F17/00 分类号: G06F17/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王志森;黄小临
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种缺陷数据库的建立方法,首先提供一晶片,晶片经历一第一半导体制造过程,并于第一半导体制造过程中形成多个缺陷,接着进行一缺陷检测,以检测出多个缺陷,再提供一预设的缺陷数据库,缺陷数据库内包含有一对应于一第二半导体制造过程的缺陷分类参数,并根据此预设的缺陷数据库,对所检测到的多个缺陷进行自动缺陷分类,以将缺陷区分为多种不同的缺陷类型,最后再进行一验证步骤,通过一人工缺陷分类的结果来验证自动缺陷分类对各缺陷类型的分类准确度。
搜索关键词: 一种 缺陷 数据库 建立 方法
【主权项】:
1.一种缺陷数据库的建立方法,所述缺陷数据库包含有一缺陷分类参数,以供一缺陷分类机台进行自动缺陷分类,所述缺陷数据库的建立方法至少包含:提供一晶片,所述晶片经历一第一半导体制造过程,并于所述第一半导体制造过程中形成多个缺陷;进行一缺陷检测,以检测出所述缺陷;提供一缺陷数据库,所述缺陷数据库内包含有一对应于一第二半导体制造过程的缺陷分类参数;根据所述缺陷数据库,对所检测到的所述缺陷进行自动缺陷分类,以将所述缺陷区分为多种不同的缺陷类型;对所述缺陷进行一人工缺陷分类,以将所述缺陷区分为多种不同的缺陷类型;以及进行一验证步骤,利用所述人工缺陷分类的结果来验证所述自动缺陷分类对各缺陷类型的分类准确度。
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