[发明专利]表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置无效
| 申请号： | 200410031784.0 | 申请日： | 2004-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1571117A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 平井利充;长谷井宏宣 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种表面处理方法，具有对基板(11)表面实施疏液化处理的工序，和通过对疏液化处理过的基板(11)的表面照射能量光，在表面实施亲液化处理的工序。将基板表面的能量光的累计照度的偏差控制在20％以下。根据本发明的表面处理方法，即使是大型的基板，也能相等地控制液状体与基板的接触角。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 装置 光电 | ||
【主权项】：
1.一种表面处理方法，具有对基板表面实施疏液化处理的工序；以及对上述疏液化处理过的基板表面照射能量光，对上述表面实施亲液化处理的工序，其特征在于，将上述基板表面上的上述能量光的累计照度的偏差控制在20％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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