[发明专利]合成激光的调芯方法及激光合成光源无效

专利信息
申请号: 200410031795.9 申请日: 2004-03-25
公开(公告)号: CN1532581A 公开(公告)日: 2004-09-29
发明(设计)人: 寺村友一;冈崎洋二 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G02B26/10 分类号: G02B26/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 激光合成光源中,缩短光源到启动的时间。在正常调温状态下,将由多个半导体激光器LD(1~LD7)射出的各条激光束形成的整个光束BB,通过准直透镜(11~17)和聚光透镜(20)进行聚焦,射入光纤(30)的具有小于或等于1/2的芯中(30a)直径的该芯部端面中的同心区域内,在芯部(30a)中合成。在芯部(30a)中合成的激光束,通过该光纤(30),从射出端(30E)射出。
搜索关键词: 合成 激光 方法 光源
【主权项】:
1.一种合成激光的光调芯方法,适用于激光合成光源,其使由多个半导体激光器射出的各个激光束形成的整个光束通过光束聚焦装置进行聚焦,并使所述整个光束射入1条光纤入射端的芯部后在该光纤中进行合成,并使所述整个光束从所述光纤射出端射出,其特征在于,所述激光合成光源处于正常调温状态时,使所述光纤的入射端,相对于该入射端的端面平行的方向上移动,以使到所述芯部的所述整个光束的入射中心位置,在通过该芯部中心的直径方向上移动,求出从该光纤射出端射出的所述整个光束光强度,并确定成为比移动所述光纤入射端获得的所述射出端射出的整个光束最大光强度小的特定光强度的所述入射端的2处位置,使所述光纤的芯部中心位于所述2处入射端位置的中心处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410031795.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code