[发明专利]异质结双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410031807.8 | 申请日： | 2004-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1577883A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 村山启一;田村彰良;能米雅信 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供满足伴随高输出化而要求的高耐破坏化的异质结双极型晶体管，该异质结双极型晶体管具有：由GaAs构成的n型子集电极层(110)；在子集电极层(110)上形成的、由比子集电极层(110)的雪崩系数小的半导体材料构成的n型第1集电极层(121)；在第1集电极层(121)上形成的、比子集电极层(110)的杂质浓度低的n型或者i型GaAs构成的第2集电极层(132)；在第2集电极层(132)上形成的、由GaAs构成的P型基极层(133)；在基极层(133)上形成的、由比基极层(133)的带隙大的半导体材料构成的发射极层(134)。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极型晶体管，其特征是具备：由GaAs构成的n型子集电极层；在上述子集电极层上形成的、由比上述子集电极层的雪崩系数小的半导体材料构成的n型第1集电极层；在上述第2集电极层上形成的、由比上述子集电极层的杂质浓度低的n型或者i型GaAs构成的第2集电极层；在上述第2集电极层上形成的、由GaAs构成的p型基极层；及在上述基极层上形成的、由比上述基极层的带隙大的半导体材料构成的n型发射极层。
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