[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

传统的半导体集成电路器件中，用于防止回流电流的装置具有高导通状态电阻，这使得在正常操作中不可能减少电压损失。本发明半导体集成电路器件具有第一MOS晶体管、设置于第一MOS晶体管与电源端子之间的第二MOS晶体管，以及在正常操作中将第二MOS晶体管的栅极保持在预定电位(最好是地电位)以及当很可能出现回流电流时使第二MOS晶体管截止的装置。在正常操作中，这有助于防止回流电流，同时减少电压损失。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：第一MOS晶体管，具有第一栅极、第一背栅、第一传导区以及第二传导区，所述第一MOS晶体管的第一背栅和第一传导区电连接；第二MOS晶体管，具有第二栅极、第二背栅、第三传导区以及第四传导区，所述第二MOS晶体管的第二背栅及第三传导区与所述第一背栅及第一传导区电连接，所述第二MOS晶体管在其第四传导区接收第一直流电压；比较器，使所述第一直流电压与从所述第二传导区输出的第二直流电压进行比较；以及开关，用于根据所述比较器的输出进行操作，以便在所述第一直流电压高于所述第二直流电压时，将第二栅极与预定电位相连，并在所述第一直流电压低于所述第二直流电压时，将第二栅极与所述第三传导区或第二传导区相连。