[发明专利]光半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410031869.9 申请日: 2004-03-30
公开(公告)号: CN1574403A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 龟山工次郎;三田清志 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L31/08;H01L27/14;H01L27/15;H01L23/48;H01L23/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李贵亮;杨梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种光半导体装置及其制造方法,其可提高耐湿性等。本发明的光半导体装置(10A)包括:光半导体元件(11),包含受光元件或发光元件的电路部(21)形成于其表面;端子部(17),其设于所述光半导体元件(11)的背面,而且和所述电路部(21)电连接;被覆层(12),其被覆所述光半导体元件(11)的表面而且由透明材料构成;密封树脂(16),其被覆被覆层(12)及光半导体元件(11)的侧面。电路部(21)和端子部(17)也可以由再配线(15)连接。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种光半导体装置,其特征在于,其包括:光半导体元件,包含受光元件或发光元件的电路部形成于其表面;端子部,其设于所述光半导体元件的背面,而且和所述电路部电连接;被覆层,其被覆所述光半导体元件的表面而且由透明材料构成;密封树脂,其被覆所述光半导体元件的侧面。
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