[发明专利]固态成像装置

摘要

提供了一种能同时降低读取电压和提高转移效率的固态成像装置。p型阱507形成于n型半导体基片506上，CCD通道区102形成于p型阱507的表面区域。栅极绝缘膜510形成于CCD通道区102的表面，第一电荷转移电极503形成于栅极绝缘膜510上。层间绝缘膜511形成于第一电荷转移电极的周围，第二电荷转移电极504形成于栅极绝缘膜510上的第一电荷转移电极之间。第二电荷转移电极504的电极长度L1比第一电荷转移电极503的电极长度L2长，通过注入p型杂质，n^－型电平差区域113形成于第二电荷转移电极504下的CCD通道区域的上游一侧的区域。

主权项

1、固态成像装置，包括：多个第二导电性光电转换区，形成在第一导电性半导体基片或第一导电性阱的表面区域；第二导电性CCD通道区域，与光电转换区相邻；第一导电性电荷读取区，位于光电转换区和CCD通道区域之间；第一导电性设备分离区，位于除读取区外的光电转换区的周围；多个第一电荷转移电极，位于CCD通道区域上；以及多个第二电荷转移电极，位于多个第一电荷转移电极之间，其中，在电荷转移方向上，第二电荷转移电极的电极长度要比第一电荷转移电极的电极长度更长，并作为电荷读取栅极，用于从光电转换区读取电荷，在第二电荷转移电极下的CCD通道区域中，还形成了沿电荷转移方向加强的电势梯度。