[发明专利]固态成像装置及其制造方法有效
申请号: | 200410031962.X | 申请日: | 2004-03-31 |
公开(公告)号: | CN1534793A | 公开(公告)日: | 2004-10-06 |
发明(设计)人: | 内田干也;松长诚之;稻垣诚 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 夏青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态成像装置(100),包括多个光敏单元(8)和用于驱动多个光敏单元(8)的驱动单元。每个光敏单元(8)包括:光电二极管(5),形成为暴露在半导体衬底的表面上,用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷;转移晶体管,用于转移由光电二极管(5)积累的信号电荷;浮动扩散层(1),用于暂时积累由转移晶体管转移的信号电荷;以及放大器晶体管(2),用于放大暂时积累在浮动扩散层(1)中的信号电荷。设置在放大器晶体管(2)中的源/漏扩散层(3)被自对准金属硅化物层(4)覆盖,并且浮动扩散层(1)形成为暴露在半导体衬底的表面上。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固态成像装置,包括:多个光敏单元,以矩阵形式设置在半导体衬底上的光敏区中;以及驱动单元,用于驱动所述多个光敏单元,其中每个光敏单元包括:光电二极管,形成为暴露在所述半导体衬底的表面上,用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷;转移晶体管,形成在所述半导体衬底上,用于转移在所述光电二极管中积累的信号电荷;浮动扩散层,形成在所述半导体衬底上,用于暂时积累由所述转移晶体管转移的信号电荷;以及放大器晶体管,形成在所述半导体衬底上,用于放大暂时积累在所述浮动扩散层中的信号电荷,其特征在于:设置在所述放大器晶体管中的源/漏扩散层被自对准金属硅化物层覆盖,并且所述浮动扩散层形成为暴露在所述半导体衬底的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的