[发明专利]半导体激光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410031968.7 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1578026A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 尹相福 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/22;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体激光器件，其中形成了脊以在解理的表面内具有埋置结构以便防止颗粒形成在解理表面。还公开了一种半导体激光器件的制造方法。半导体激光器件包括第一导电类型的衬底；形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；形成在第一导电类型覆盖层上的有源层；第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上，同时在各相对的纵向端部处具有脊，脊与激光发射端面和与激光发射端面相对的端面相隔预定的间隙；以及电流阻挡层，形成在脊周围的第二导电类型的覆盖层上。根据本发明，可以防止颗粒形成在解理表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，包括：第一导电类型的衬底；形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；形成在第一导电类型覆盖层上的有源层；第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上，同时在各相对的纵向端部处具有脊，脊与激光发射端面和与激光发射端面相对的端面相隔预定的间隙；以及电流阻挡层，形成在脊周围的第二导电类型的覆盖层上。
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