[发明专利]利用反向自对准过程制造双ONO式SONOS存储器的方法

摘要

一种利用反向自对准过程制造双ONO形式的SONOS存储器的方法，其中，在栅极下面形成一ONO电介质层，并且不论光刻极限如何，利用反向自对准过程，将该ONO电介质层实际上分开为两个部分。为了容易进行反向自对准，采用用于确定ONO电介质层的宽度的缓冲层和隔片。这样，可以适当地调整在编程和擦试过程中，俘获的电荷的分散，从而改善SONOS的特性，本发明可以防止在编程和擦试操作后，随着时间变化电荷的再分布。

主权项

1.一种制造SONOS存储器的方法，该方法包括：在基片上形成一氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)电介质层；在ONO电介质层上形成一缓冲层，该缓冲层具有露出ONO电介质层的表面一部分的一沟槽；在该沟槽的内壁上形成第一导电隔片；利用第一导电隔片作为蚀刻掩模，通过有选择地除去ONO电介质层的露出部分，将ONO电介质层分开成两个部分；在由分开ONO电介质层形成的露出基片上形成栅极电介质层，该栅极电介质层延伸到分开的ONO电介质层的露出的侧壁，和沟槽内的第一导电隔片，及缓冲层的顶面上；在栅极电介质层上形成第二导电层，以充满沟槽内壁之间的间隙；除去由第二导电层露出的栅极电介质层；利用第一导电隔片作为蚀刻掩模，除去缓冲层；和利用第一导电隔片作为蚀刻掩模，通过有选择地除去由除去缓冲层露出的每一隔开的ONO电介质层的一部分，对两个分开的ONO电介质层上构图。