[发明专利]带水平激射结构的增益钳制半导体光放大器及其制造方法有效
| 申请号： | 200410032128.2 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1585218A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李定锡;姜重求;黄星泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/30;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种带有水平激射结构的增益钳制半导体光放大器，其中激光的振荡方向与信号的放大方向不同，以及制造增益钳制半导体光放大器的方法。增益钳制半导体光放大器包括增益层，用于放大光学信号。布拉格晶格层，沿着增益层的纵向形成于增益层的两侧，用于使具有相应波长的光在与增益层的纵向垂直的方向上谐振。无源光波导层，限制光在布拉格晶格层的晶格之间谐振。电极，提供电流给增益层，以及电流阻挡层，防止电流流到除增益层以外的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 结构 增益 钳制 半导体 放大器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有水平激射结构的增益钳制半导体光放大器，所述增益钳制半导体光放大器包括：增益层，所述增益层用于放大光信号；布拉格晶格层，所述布拉格晶格层沿增益层的纵向形成在增益层的两侧，所述布拉格层使具有相应波长的光沿与增益层的纵向垂直的方向谐振；无源光波导层，所述无源光波导层用于限制在布拉格晶格层的晶格之间谐振的光；电极，所述电极用于提供电流给增益层；以及电流阻挡层，所述电流阻挡层用于防止电流流到除增益层以外的区域。
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