[发明专利]半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410032479.3 | 申请日： | 1997-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1549305A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 东和司;塚原法人;米泽隆弘;八木能彦;北山喜文;大谷博之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种在IC电极上形成凸点电极的方法，包括：利用丝焊设备在IC电极上形成球焊部位；向上移动焊接毛细管；横向移动焊接毛细管然后向下；把丝焊接于球焊部位；和切断丝，通过把焊接毛细管的槽角设定为不大于90度，使球焊部位高度大于丝直径，可以防止丝与除球焊部位之外的球焊部位周边接触。本发明还提供了用上述方法形成的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种在IC电极上形成凸点电极的方法，包括：利用丝焊设备在IC电极(104)上形成球焊部位(115)；向上移动焊接毛细管(113)；横向移动焊接毛细管然后向下；把丝(101)焊接于球焊部位；和切断丝，通过把焊接毛细管的槽角(107)设定为不大于90度，使球焊部位高度大于丝直径，可以防止丝与除球焊部位之外的球焊部位周边接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
