[发明专利]新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法有效
| 申请号： | 200410032544.2 | 申请日： | 2004-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1539841A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 古川泰志;大岛宪昭;关本谦一 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C07F5/00 | 分类号： | C07F5/00;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在CVD法成膜中，具有优良气化特性和热稳定性的新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法。还提供下述铋化合物、其制备方法和成膜法，其特征在于，如式1、式5、式9所示，式中，R1、R7表示低级烷基，R2、R8、R12及R13表示低级烷基、低级烷氧基等，m表示取代基R12的数目，为0～5，n1、n2、n3分别表示取代基R2、R8和R13的个数，为0～4、R3～R6、R9～R11、R14和R15表示氢、低级烷基等(其中排除特定取代基的组合)。(见[式1]、[式2]、[式3]。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 化合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、铋化合物，其特征在于，如式1所示，[化1]![]()
[式1中，R1表示低级烷基，R2表示低级烷基、低级烷氧基、低级酰基、低级烷氧羰基、低级卤代烷基或卤素，n1表示取代基R2的数目，为0～4，R3～R6表示氢、低级烷基或低级卤代烷基]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东曹株式会社，未经东曹株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410032544.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
