[发明专利]带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构无效
| 申请号： | 200410032559.9 | 申请日： | 2004-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1681176A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张洪波;韦欣;朱晓鹏;王国宏;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制作在铝铟砷层上，该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积；一铟镓砷层，该铟镓砷层制作在铟磷层上；该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域；一层介质膜，该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上；一层P面电极，该P面电极制作在脊型区域的上面及介质膜上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 锥形 增益 波导 功率 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制作在铝铟砷层上，该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积；一铟镓砷层，该铟镓砷层制作在铟磷层上；该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域；一层介质膜，该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上；一层P面电极，该P面电极制作在脊型区域的上面及介质膜上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
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