[发明专利]薄膜型共态扼流圈及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410032611.0 申请日: 2004-02-26
公开(公告)号: CN1532856A 公开(公告)日: 2004-09-29
发明(设计)人: 伊藤知一;工藤孝洁;大友诚 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H01F41/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 章社杲
地址: 日本东京*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种共态扼流圈,包括一第一磁基板1,交替形成在第一磁基板1上的电绝缘层和包括线圈导线层5和7的线圈图形,以及用于覆盖最上面一个电绝缘层的第二磁基板13,其中:被线圈图形环绕的电绝缘层的中部以及电绝缘层与线圈图形的外周区域相对应的部分被去除;在最上面一个电绝缘层上设置一种含磁粉树脂(磁层11),并且使其嵌入电绝缘层的去除部分内;使用一种粘接剂12将第二磁基板13粘接在含磁粉树脂的一个整平表面上。
搜索关键词: 薄膜 型共态扼流圈 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种共态扼流圈,包括:一第一磁基板;多层线圈部分,其中在所述第一磁基板上交替形成电绝缘层和线圈图形,多层线圈部分具有被线圈图形环绕的中间部分和在与线圈图形的外周区域相应的电绝缘层被去除的外部去除部分;一含磁粉区域,设置在最上面一个电绝缘层上以及外部去除部分内,该含磁粉区域的一个表面被整平;和一第二磁基板,通过使用一种粘接剂粘接在含磁粉区域的被整平层上。
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