[发明专利]磁盘及其制造方法

摘要

公开了一种制造磁盘的方法，该磁盘在其基底上具有磁性层、保护层和润滑层。该方法中，将润滑剂α进行分子量分级，以制备重均分子量(Mw)为3000～7000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂a，该润滑剂α含有由化学式HO－CH₂－CH(OH)－CH₂－O－CH₂－CF₂(－O－C₂F₄)_p－(O－CF₂)_q－O－CF₂－CH₂－O－CH₂－CH(OH)－CH₂－OH表示的化合物，其中的p和q为自然数，和由化学式HO－CH₂－CF₂(－O－C₂F₄)_m－(O－CF₂)_n－O－CF₂－CH₂－OH表示的化合物，其中的m和n为自然数；将润滑剂β进行分子量分级，以制备重均分子量(Mw)为2000～5000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂b，该润滑剂β含有由化学式HO－CH₂－CF₂(－O－C₂F₄)_m－(O－CF₂)_n－O－CF₂－CH₂－OH表示的化合物，其中的m和n为自然数；制备含有润滑剂a和b的混合物的润滑剂c；并在施加在基底上的保护层上形成润滑剂c的膜，以形成润滑层。还公开了一种磁盘，该磁盘在其基底上具有磁性层、保护层和润滑层，其中润滑层在保护层上形成。

主权项

1、一种制造磁盘的方法，该磁盘在基底上包括有磁性层、保护层和润滑层，其中将润滑剂α进行分子量分级，以制备重均分子量(Mw)为3000～7000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂a，该润滑剂α含有由化学式HO-CH2-CH(OH)-CH2-O-CH2-CF2(-O-C2F4)p-(O-CF2)q-O-CF2-CH2-O-CH2-CH(OH)-CH2-OH [化学式1]表示的化合物，其中的p和q为自然数，和由化学式 HO-CH2-CF2(-O-C2F4)m-(O-CF2)n-O-CF2-CH2-OH [化学式2]表示的化合物，其中的m和n为自然数；将润滑剂β进行分子量分级，以制备重均分子量(Mw)为2000～5000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂b，该润滑剂β含有由化学式 HO-CH2-CF2(-O-C2F4)m-(O-CF2)n-O-CF2-CH2-OH 化学式3]表示的化合物，其中的m和n为自然数；制备含有润滑剂a和b的混合物的润滑剂c；并在基底上的保护层之上形成润滑剂c的膜，以形成润滑层。