[发明专利]具有一体扩散器框架的化学汽相沉积装置有效
申请号: | 200410032705.8 | 申请日: | 2004-04-13 |
公开(公告)号: | CN1540033A | 公开(公告)日: | 2004-10-27 |
发明(设计)人: | 李澔 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;彭焱 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种化学汽相淀积装置,其包括:箱体;基座,位于该箱体内,安装玻璃面板;扩散器,将该箱体内部分割成上部空间和下部空间,具有连接上部空间和下部空间的多个喷射孔;气体注入管,通过扩散器的喷射孔,向箱体内注入气体;以及陶瓷结构,安装在箱体和扩散器之间;其中扩散器周边延长到陶瓷结构的部分表面上。 | ||
搜索关键词: | 具有 一体 扩散器 框架 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1.一种化学汽相淀积装置,包括:箱体;基座,位于所述箱体内,安装玻璃面板;扩散器,将所述箱体内部分割成上部空间和下部空间,具有连接所述上部空间和所述下部空间的多个喷射孔;气体注入管,通过所述扩散器的喷射孔向所述箱体内注入气体;以及陶瓷结构,安装在所述箱体和所述扩散器之间;其中所述扩散器周边延长到所述陶瓷结构的部分表面上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的