[发明专利]记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 200410032751.8 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1604214A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 森河刚;玉野井健;上村拓也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105;G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所公开的记录介质包括：衬底；记录层，其具有用于记录信息的垂直磁各向异性；基础层，其位于所述衬底与所述记录层之间；初始层，其表面张力大于所述基础层的表面张力，并被保持与所述基础层的记录层侧表面相接触；以及功能性层，其被保持与所述初始层的记录层侧表面相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有层叠结构的记录介质，该介质包括：衬底；记录层，具有用于记录信息的垂直磁各向异性；第一基础层，位于所述衬底与所述记录层之间；初始层，其表面张力大于所述基础层的表面张力，并且所述初始层被保持与所述基础层的记录层侧表面相接触；和功能性层，被保持与所述初始层的记录层侧表面相接触。
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