[发明专利]数字随耦器、数字储存组件以及静态随机存取内存有效
| 申请号： | 200410032786.1 | 申请日： | 2004-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1540766A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 季明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/10;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明主要利用一对垂直场效电晶体建构出一数字随耦器(digital-follower)，再利用数字随耦器建构成一数字储存组件，更进一步提出一种新SRAM记忆单元的结构。因此，本发明提出的具有两个储存组件SRAM记忆单元比现有SRAM记忆单元更省面积。配合感应放大器使用参考电压Vcc/2，本发明的SRAM记忆单元也可以储存两个位。另外配合感应放大器使用参考电压Vcc/2，本发明的SRAM记忆单元也可以使用一个储存组件，一条位线。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 随耦器 储存 组件 以及 静态 随机存取 内存 | ||
【主权项】：
1、一种数字随耦器(digital follower)，其特征在于，包括：一第一型垂直场效晶体管，包括：一第一型井区，设置于一第二型基底中；一第一型垂直通道区，设置于上述第一型井区中；及一第一型控制接面区，设置于上述第一型井区中且与上述第一型井区及第一型垂直通道区互相区隔开；一第二型垂直场效晶体管，包括：一第二型垂直通道区，设置于上述第二型基底中；一第二型控制接面区，设置于上述第二型基底中且与上述第二型基底及第二型垂直通道区互相区隔开；一第一连接层，连接上述第一型、第二型控制接面区，作为上述数字随耦器的输入端；以及一第二连接层，连接上述第一型、第二型垂直通道区，作为上述数字随耦器的输出端。
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