[发明专利]制作半导体存储器件的方法

摘要

把用于浮动栅的掺杂杂质的硅层、保护层、叠层硬膜的氮化硅层和第一NSG层形成所需的图案，在该图案上形成第二NSG层并存留为侧壁。利用第二NSG层作为掩模，蚀刻氮化硅层。利用存留的氮化硅层作为掩模，蚀刻硅层，以形成其表面覆盖有第二保护层的硅图案，并蚀刻出氮化硅层。于是，在利用掺杂的多晶硅形成浮动栅的同时，有可能防止损坏浮动栅的表面。

主权项

1.一种制作叠层栅非易失半导体存储器件的方法，所述存储器件具有浮动栅和控制栅，所述方法包括如下步骤：在限定于半导体基底的器件形成区中形成隧道绝缘层；在所述隧道绝缘层中形成掺杂杂质的硅层；在所述硅层的表面处形成保护层；依次层压在所述保护层上叠层的掩模层上的下层和上层；把上层形成所需的图案；在所述上层的所述图案上形成所述第二上层；蚀刻所述第二上层，并只在所述第一上层的侧表面上存留下所述第二上层；把所述第一和第二上层用作掩模蚀刻所述下层；通过把所述下层用作掩模蚀刻所述硅层而形成硅图案；形成覆盖暴露的所述硅图案的表面的第二保护层；以及蚀刻出所述下层。