[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200410032961.7 | 申请日： | 2004-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1538459A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 椋木敏夫;杉本映;小关隆夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，其存储单元阵列具有：由存储单元(MC11～MCmn)组成的存储单元区域(11)和由字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)组成的样品单元区域(12)，并且，将字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)与存储单元(MC11～MCmn)进行比较，由于在字线(WL1～WLm)以及位线(BL1～BLn)上施加了电压，使得电荷容易从浮栅电极移动。这样，就可以在不增加芯片面积的情况下，低成本设置在对半导体存储装置进行干扰试验之际判定是否施加了符合规定的应力电压的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：多个第一存储单元，其被排列成行列状；控制线，其将在所述多个第一存储单元中的在行方向或列方向上并排的所述第一存储单元之间连接；和第二存储单元，其与所述控制线连接；所述第二存储单元构成为保持所述第一存储单元从所述控制线接收的应力信息。
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