[发明专利]强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器无效
| 申请号： | 200410033223.4 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1534784A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 柄泽润一;大桥幸司;滨田泰彰;木岛健;名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/31;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种适于非破坏读出法的强电介质层及其制造方法。本发明的强电介质层(30)是一种含有空间电荷的强电介质层(30)，对所述强电介质层(30)的膜厚方向上，在上部或下部的至少任一方中，所述空间电荷具有空间电荷浓度峰值。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 及其 制法 电容器 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种强电介质层，含有空间电荷，其特征在于：所述空间电荷是对所述强电介质层的膜厚方向上，在上部或下部的至少一方中，具有空间电荷浓度峰值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
