[发明专利]可变电容器与差动式可变电容器有效
| 申请号： | 200410033413.6 | 申请日： | 2004-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1681132A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可变电容器，此可变电容器包括第二型基底、二栅极结构、第一型掺杂区与第二型掺杂区。其中此二栅极结构配置于基底上，且各个栅极结构由栅介电层与栅极导电层所构成。另外，第一型掺杂区配置于此二栅极结构之间的基底中。此外，第二型掺杂区配置于此二栅极结构的未配置有第一型掺杂区的另一侧的基底中。其中第一型掺杂区电连接至第一电极端，且第二型掺杂区电连接至第二电极端，而且上述二栅极结构与第一电极端或第二电极端电连接。由于此可变电容器包括有MOS可变电容器与结式可变电容器的结构，因此同时具有此二种可变电容器的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 可变电容器 差动 | ||
【主权项】：
1、一种可变电容器，包括：一第二型基底；二栅极结构，配置于该第二型基底上，且各该栅极结构由下层的一栅介电层与上层的一栅极导电层所构成；一第一型掺杂区，配置于该二栅极结构之间的该第二型基底中；以及一第二型掺杂区，配置于该二栅极结构的未配置有该第一型掺杂区的另一侧的该第二型基底中，其中该第一型掺杂区电连接至一第一电极端，且该第二型掺杂区电连接至一第二电极端，而且该二栅极结构与该第一电极端及该第二电极端其中之一电连接。
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