[发明专利]半导体组件的多重间隙壁宽度的制造方法有效

专利信息
申请号: 200410033425.9 申请日: 2004-04-07
公开(公告)号: CN1542912A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 刘埃森;彭宝庆;雷明达;林义雄;林正忠;林佳惠 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 王铮
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体组件的多重间隙壁宽度(MultipleSpacer Widths)的制造方法,其在半导体组件的侧壁上形成第一间隙壁后,再进行选择性沉积(SelectiveDeposition)处理,以使第一间隙壁的表面产生悬浮键(Dangling Bonds),而使后续沉积的第二间隙壁的材料层仅与具有悬浮键的第一间隙壁的表面反应,进而改变位于第一间隙壁上的第二间隙壁的材料层的性质。如此一来,即可轻易去除沉积于第一间隙壁以外未参与反应的第二间隙壁的材料层,而形成具有一间隙壁与二间隙壁的宽度的间隙壁结构。
搜索关键词: 半导体 组件 多重 间隙 宽度 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体组件的多重间隙壁宽度的制造方法,其特征在于:该制造方法至少包括:提供一基材,其中该基材上已形成若干个图案结构位于部分的该基材上:于每一这些图案结构的侧壁上形成一间隙壁;以及进行选择性沉积步骤,其中选择性沉积步骤在该些图案结构的至少一者的该间隙壁上形成至少包括该间隙壁的一扩充间隙壁结构。
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