[发明专利]半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器有效
| 申请号： | 200410033468.7 | 申请日： | 2004-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1536616A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 井上聪 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器，所述半导体器件制造方法包括：在第一基板(10)上形成剥离层(12)的剥离层形成工序；在剥离层上形成绝缘膜(14)的绝缘膜形成工序；在绝缘膜(14)上形成多个微孔(16)的微孔形成工序；在绝缘膜上和微孔(16)内形成半导体膜(18)的成膜工序；通过热处理，熔融结晶化半导体膜，形成结晶性半导体膜(20)的结晶化工序；使用各结晶性半导体膜形成半导体元件(T)的元件形成工序；在剥离层(12)的层内和/或界面上产生剥离，将半导体元件转移到第二基板上的转移工序。根据本发明，可在大面积基板上容易形成细微且高性能的薄膜半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 集成电路 电光 装置 电子仪器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在第一基板上形成剥离层的剥离层形成工序；在所述剥离层上形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在所述绝缘膜形成多个微孔的微孔形成工序；在所述绝缘膜上和所述微孔内形成半导体膜的成膜工序；结晶化工序，通过热处理使所述半导体膜熔融结晶化，形成包含以所述各微孔大致作为中心的大致单晶的晶粒而构成的结晶性半导体膜；使用所述各个结晶性半导体膜，形成半导体元件的元件形成工序；转移工序，在所述剥离层的层内和/或界面产生剥离，使所述半导体元件从所述第一基板脱离，将所述半导体元件转移到第二基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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