[发明专利]晶片背表面处理方法以及切割片粘附装置无效
| 申请号： | 200410033565.6 | 申请日： | 2004-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1574233A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 大川雄士 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种便于半导体芯片的拾取以及防止被切割片污染的半导体晶片处理方法。晶片背表面处理方法的特征在于，在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨或者抛光表面被钝化，其中在晶片上形成有半导体电路。在所述方法中，优选使用氧化剂进行激活处理。此外，激活处理优选通过将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面、利用臭氧水以及利用紫外线(UV)对晶片的研磨或者抛光表面进行照射来施行。优选在钝化处理之后粘附切割片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 处理 方法 以及 切割 粘附 装置 | ||
【主权项】：
1、一种晶片背表面处理方法，其中在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨或者抛光表面被钝化，在所述晶片上形成有半导体电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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