[发明专利]氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法无效
| 申请号： | 200410033587.2 | 申请日： | 2004-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1681135A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/18;G01J1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基肖特基 势垒高度 增强 紫外 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
