[发明专利]影像撷取装置及其制造方法无效
申请号: | 200410033727.6 | 申请日: | 2004-04-09 |
公开(公告)号: | CN1681129A | 公开(公告)日: | 2005-10-12 |
发明(设计)人: | 曾世宪 | 申请(专利权)人: | 曾世宪 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹市金*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种影像撷取装置,特别是薄型影像撷取装置可通过全晶圆或部分晶圆的方式制造,除在基底上表面制造光电转换组件及周围电路外,尚可于该影像撷取基底形成一内嵌壕沟,随之沉积绝缘层膜及填充导电材料于该内嵌壕沟,以形成接合栓塞,再经由影像撷取基底下表面磨薄后,而形成的接合榫可作为该影像撷取装置的电极连接端。该影像撷取装置可磨薄该影像基底和直接覆盖光学透明窗。更可整合封装包含一光学透镜系统,一固态影像撷取装置,一影像控制模块,一软性导电组件等构件整合组装成轻巧的影像撷取模块,适合整合在行动电子设备内的多媒体影像单元。 | ||
搜索关键词: | 影像 撷取 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种影像撷取装置,其特征在于:主要构造包括有:一基底;一光电感受区,设置于基底上作为侦测影像辐射能量;一周围电路,为可环绕于光电感受区并电性连接至该光电感受区;一接合榫,为可贯穿基底并电性连接至该周围电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的