[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 200410033728.0 | 申请日： | 2004-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1681121A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 许世昌;许进恭 | 申请（专利权）人： | 元砷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L25/07;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省台南县科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种覆晶式发光二极管封装结构，包含一萧特基二极管群、一发光二极管及多个凸块，其中萧特基二极管群包含多个萧特基二极管，且这些萧特基二极管用串联、并联或串并联等方式电性联接。此些凸块配置于一萧特基二极管与发光二极管之间，使得萧特基二极管群与发光二极管反向并联，而此发光二极管以覆晶接合的方式配置于一萧特基二极管上。此覆晶式发光二极管封装结构可有效防止静电破坏，并可提高光取出效率，而且萧特基二极管的子基座为硅材质，其散热性良好，故可增加本覆晶式发光二极管封装结构的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：包括：一萧特基二极管；一发光二极管，该发光二极管以覆晶接合的方式配置于该萧特基二极管上，且该发光二极管与该萧特基二极管反向并联。
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