[发明专利]改善基底阶梯高度的方法有效
| 申请号： | 200410033734.6 | 申请日： | 2004-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1681090A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杨家伟;张大鹏 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/76;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及改善基底阶梯高度(step height)的方法，适用于高低压组件区的制程，该方法包含：提供一基底，用一电性隔离结构区隔出一低电压组件区与一高电压组件区；之后形成一厚度不小于500的氮化硅层作为硬罩幕，于上述暴露的高电压组件区和电性隔离结构上形成第一氧化物层；移除上述氮化硅层；并于上述低电压组件区形成厚度小于上述第一氧化物层的第二氧化物层；上述基底的阶梯高度降低至400～500，且第一氧化物层的厚度以远离低电压组件区的方向递增至一既定值后，即大体维持上述既定值，使上述基底的高度变化较和缓。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 基底 阶梯 高度 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在高低压组件区制程中改善基底阶梯高度的方法，其中包含：提供一基底，该基底具有以电性隔离结构区隔出的一低电压组件区与一高电压组件区；形成一厚度不小于500的氧化屏蔽覆盖于该低压组件区与部分该电性隔离结构；以该氧化屏蔽为屏蔽，于暴露的该高电压组件区与该电性隔离结构上形成第一氧化物层；移除该氧化屏蔽；于该低电压组件区上形成第二氧化物层，该第二氧化物层的厚度小于该第一氧化物层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
