[发明专利]微结构气敏传感器阵列芯片及其制备方法无效
申请号: | 200410033786.3 | 申请日: | 2004-04-16 |
公开(公告)号: | CN1684285A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 高晓光;李建平;何秀丽;王利 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H01L49/00 | 分类号: | H01L49/00;G01N27/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100080*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于气敏传感器技术领域,是微结构气敏传感器阵列的芯片结构及制备方法。该芯片由硅片、加热电极、测量电极和气敏薄膜等组成,其在做基底的硅片中间部位有≥1个隔开独立的贯通孔,在各通孔上依次覆有:支撑膜、绝缘膜;支撑膜中心有加热电极,绝缘膜中心有测量电极,测量电极上覆盖气敏薄膜,在加热电极与测量电极间有绝缘膜;各个加热电极和气敏薄膜分别与通孔相对设置。本发明用微电机械系统(MEMS)加工技术大批量生产微结构气敏传感器阵列,采用金属薄膜作为加热电极和测量电极,有很好的耐高温性,与多晶硅加热的传感器及阵列相比稳定性大大提高。本发明传感器阵列中气敏薄膜用阵列自身的加热电极进行退火处理,大大简化了加工工艺。 | ||
搜索关键词: | 微结构 传感器 阵列 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微结构气敏传感器阵列芯片,由硅片、支撑膜、加热电极、绝缘膜、测量电极和气敏薄膜组成,其特征在于在做基底的硅片中间部位有≥1个隔开独立的贯通孔,在硅片的各通孔上表面上依次覆有:支撑膜、绝缘膜;支撑膜中心部设有加热电极,绝缘膜中心部设有测量电极,测量电极上覆盖有气敏薄膜,在加热电极与测量电极之间有一绝缘膜;各个加热电极和测量电极分别与通孔相对设置。
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