[发明专利]集成电路无效
| 申请号： | 200410034245.2 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1536662A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | A·O·阿丹 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;郑建晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 层叠的金属配线层形成电磁隔离构造，这些金属配线层通过通孔而相互连接，由此形成层叠构造的金属栅栏。金属栅栏以包围在集成电路内产生电磁场的螺旋电感等的元件的方式配置。此外，电磁波的Skindepth设为δ，c设为光速，集成电路的动作频率设为f，金属栅栏区域的横向尺寸设为d，金属栅栏的包围线宽设为WF，通孔间隔设为L，信号的波长λ＝c/f时，d≤λ/8，WF≥5δ，L≤λ/20。能够降低集成电路中的、电磁或经由基板的耦合噪音。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其特征在于：层叠的金属配线层形成电磁隔离构造，上述金属配线层通过金属配线层间的多个通孔而相互连接，上述各金属配线层通过上述通孔而连接，由此形成层叠构造的金属栅栏，上述金属栅栏以包围目标元件的方式配置，并且电磁波的Skin depth设为δ，c设为光速，集成电路的动作频率设为f，金属栅栏区域的横向尺寸设为d，金属栅栏的包围线宽设为WF，通孔间隔设为L，信号的波长λ＝c/f时，d≤λ/8，WF≥5δ，L≤λ/20。
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