[发明专利]制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法无效
| 申请号： | 200410034259.4 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1681091A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王晓峰;曾一平;黄风义;王保强;朱占平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304;H01L21/20;H01L21/02;C23F1/24;B81B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体硅微机械加工技术领域，是一种在室温下通过氨水湿法可控性腐蚀来制备超薄纳米级硅可协变衬底。该腐蚀法，包括下列步骤：(a)先对可协变硅衬底片子进行去油处理，稀释氢氟酸漂洗；(b)将(a)步中处理过的可协变硅衬底片子平放于腐蚀容器的底面上；(c)再在腐蚀容器中用氨水水溶液进行超薄腐蚀加工。本发明为解决大失配外延生长提供了一种可行的衬底材料和这种衬底材料的制备方法。而且，该操作工艺简单，操作可控性强，可重复性好，可以多个片子同时处理。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 超薄 硅可协变 衬底 可控性 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法，其特征在于：包括下列步骤：(a)先对可协变硅衬底片子进行去油处理，稀释氢氟酸漂洗；(b)将(a)步中处理过的可协变硅衬底片子平放于腐蚀容器的底面上；(c)再在腐蚀容器中用氨水水溶液进行超薄腐蚀加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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