[发明专利]动态随机存取存储器存储芯片的测试方法及电路无效
| 申请号： | 200410034331.3 | 申请日： | 2004-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1542862A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | J·布罗恩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于一DRAM存储芯片之存储单元之测试方法系加以提供。该DRAM存储芯片系在一多芯片存储模块中与一非易失存储芯片被配置在一起，并且，该多芯片存储模块系被并入一装置，特别是一移动电话或一笔记型计算机中。该方法系为，当该DRAM存储芯片之该存储单元无法在该装置之一运作操作模式中进行存取时，该DRAM存储芯片系被进行至一自我测试，而在该自我测试期间，该存储单元之功能性系进行检测。本发明亦提供实行该方法之装置。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 存储 芯片 测试 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于一DRAM存储芯片(2)之存储单元(4)之测试方法，其中该DRAM存储芯片(2)系在一多芯片存储模块(1)中与一非易失存储芯片(3)配置在一起，该多芯片存储模块(1)系被并入一装置(8)，特别是一移动电话或一笔记型计算机中，其中：当该DRAM存储芯片(2)之该存储单元(4)无法在该装置(8)之一运作操作模式中进行存取时，该DRAM存储芯片(2)系被进行至一自我测试，而在该自我测试期间，该存储单元(4)之功能性系进行检测。
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