[发明专利]半导体光接收器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体光接收器件，该器件能够接收第一波长波段的光束和第二波长波段的光束，第二波长波段的光束具有比第一波长波段的光束更短的波长。该器件具有在半导体衬底的半导体表面区域上形成的第一导电类型的光吸收层，光吸收层吸收第一和第二波长波段的光束。第一导电类型的顶层形成在光吸收层上。在覆盖层中，形成传输第二波长波段的光束的第二导电类型的区域。光收集层形成在半导体表面区域上并且与覆盖层和光吸收层相邻。光收集层具有凸起形状，该凸起形状具有曲率，以收集第二波长波段的光束。

主权项

1、一种半导体光接收器件，包括：一个半导体衬底；一个第一导电类型的光吸收层，其在半导体衬底的半导体表面区域上形成，该光吸收层吸收包括第一波长波段的光束和包括具有比第一波长波段的波长更短的波长的第二波长波段的光束；一个第一导电类型的覆盖层(cap layer)，其在光吸收层上形成；一个第二导电类型区域，其在覆盖层上形成来传输包括第二波长波段的光束；和一个光收集层，其形成于与覆盖层和光吸收层相邻的半导体表面上，该光收集层的至少一部分表面具有带曲率的凸起形状，以将包括第二波长波段的光束传输和收集到光吸收层。