[发明专利]适用于阴离子聚合的层状硅酸盐的改性方法、由此得到的改性层状硅酸盐及其用途有效
| 申请号： | 200410034729.7 | 申请日： | 2004-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1693195A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李杨;徐宏德;吕占霞;张然;朱峰;余鼎声;王成;徐日炜 | 申请（专利权）人： | 中国石化北京燕化石油化工股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/20 | 分类号： | C01B33/20;C01B33/38;C01B33/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 刘金辉 |
| 地址： | 102500*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种改性层状硅酸盐的方法，包括如下步骤：1)使用离子型有机化合物对层状硅酸盐进行常规有机化改性；2)在步骤1)中得到的改性层状硅酸盐和极性调节剂存在下在有机溶剂中进行可阴离子聚合的单体的阴离子聚合；和3)通过过滤分离出改性层状硅酸盐并进一步后处理。用本方法改性的层状硅酸盐适合于阴离子原位聚合制备纳米复合材料，所得纳米复合材料的聚合物具有窄分子量分布，同时又改善了层状硅酸盐与聚合体系的相容性。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 阴离子 聚合 层状 硅酸盐 改性 方法 由此 得到 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种改性层状硅酸盐的方法，包括：1)使用离子型有机化合物对层状硅酸盐进行常规有机化改性；2)在步骤1)中得到的改性层状硅酸盐和极性调节剂存在下在有机溶剂中进行可阴离子聚合的单体的阴离子聚合；和3)通过过滤分离出改性层状硅酸盐并进一步后处理。
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