[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200410034756.4 | 申请日： | 2004-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1551319A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 反町东夫 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/301;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件的制造方法，能够利用制造树脂板的传统制造系统，从而制造晶片级封装且不增加制造成本，该方法包括：化学镀所述电极端子以利用保护所述电极端子不被激光束损坏的保护膜覆盖所述电极端子的表面；在形成所述保护膜之前或之后研磨半导体晶片的背面以减小半导体晶片的厚度；利用树脂覆盖整个半导体晶片的所述电极端子形成表面和背面以形成层叠板，所述电极端子被保护膜覆盖并被处理以减小其厚度；以及从所述层叠板的外部把激光束聚焦到半导体晶片的电极端子形成表面以形成导通孔，在所述导通孔的底面露出所述保护层，然后通过电镀填充所述导通孔以形成所述导体部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体晶片的电极端子形成表面上形成与电极端子电连接的过孔和其它导体部分，并把半导体晶片切割成单独的半导体芯片以形成芯片尺寸的半导体器件，该方法包括以下步骤：化学镀所述电极端子以利用保护所述电极端子不被激光束损坏的保护膜覆盖所述电极端子的表面，在形成所述保护膜之前或之后研磨半导体晶片的背面以减小半导体晶片的厚度，利用树脂覆盖整个半导体晶片的所述电极端子形成表面和背面以形成层叠板，所述电极端子被保护膜覆盖，并被处理以减小其厚度，以及从所述层叠板的外部把激光束聚焦到半导体晶片的电极端子形成表面以形成导通孔，在所述导通孔的底面露出所述保护层，然后通过电镀填充所述导通孔以形成所述导体部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
