[发明专利]用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法

摘要

一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，包括如下步骤：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；以光刻胶保护漂移区，回刻二氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙；源漏自对准注入并去胶；快速热退火，以消除注入损伤和激活杂质；分别以正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层衬垫二氧化硅和低压化学气相淀积法淀积一层氮化硅；依次回刻氮化硅、二氧化硅，在二氧化硅一次侧墙基础上形成氮化硅二次侧墙；溅射一薄层钛；快速热退火，让钛与硅反应形成钛硅化物；选择性湿法腐蚀去除未反应的钛；快速热退火，让高阻态的钛硅化物转化为低阻态的钛硅化物。

主权项

1、一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；步骤2：用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；步骤3：以光刻胶保护漂移区，回刻二氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙；步骤4：源漏自对准注入并去胶；步骤5：快速热退火，以消除注入损伤和激活杂质；步骤6：分别以正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层衬垫二氧化硅和低压化学气相淀积法淀积一层氮化硅；步骤7：依次回刻氮化硅、二氧化硅，在二氧化硅一次侧墙基础上形成氮化硅二次侧墙；步骤8：溅射一薄层钛；步骤9：快速热退火，让钛与硅反应形成钛硅化物；步骤10：选择性湿法腐蚀去除未反应的钛；步骤11：快速热退火，让高阻态的钛硅化物转化为低阻态的钛硅化物。